硅膜片的一面是与被测压力连通的高压腔，另一面是与大气连通的低压腔。硅膜片一般设计成周边固支的圆形，直径与厚度比约为20～60。在圆形硅膜片(N型)定域扩散4条P杂质电阻条,并接成全桥，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称。两种微型压力传感器的膜片，单位为毫米。此外，也有采用方形硅膜片和硅柱形敏感元件的。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上扩散制作电阻条，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。

压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。 用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感 材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用为普遍。

适应介质广： 由于硅的优良化学防腐性能，与硅油的良好可兼容性，使得隔离式结构易于实现，即使非隔离型的压阻压力传感器，也有相当程度的适应各种介质的能力。 防爆： 由于其低电压、低电流的低功耗特点，它是本质防爆型产品，可广泛用于各种化工工业检测控制等领域，具有性价比。

扩散硅硅原理： 1）结构:在硅片上注入粒子形成惠司通电桥形式的压敏电阻。 2）特点:灵敏度很高,精度高,适合于测量1kpa～40mpa的范围,过压能力较强抗冲击压力较好温度漂移较大分为带隔离膜片和非隔离膜片2类,非隔离膜片只能测干净 的气体,隔离膜片为软性膜片,不适合测量粘稠的介质。